| 目的:应用脑磁图技术研究斜视性弱视患者大脑皮层的变化情况，探讨弱视的可能发病机制。
方法：
1、采用黑白棋盘格翻转不同视野刺激， 通过脑磁图仪记录4名健康受试者和4名内斜视的斜视性弱视患者的视觉诱发磁场。
2、分析不同视野刺激条件下，正常组与斜视性弱视组视觉诱发磁场M100的潜伏期、振幅及源定位的差异。
结果:
1、斜视性弱视组双眼全视野刺激M100的潜伏期较对照组延长，振幅降低，差别有统计学意义(P<0.05)。
2、弱视眼全视野刺激M100潜伏期较对照组的潜伏期延长，振幅降低 (P<0.05)。非弱视眼全视野刺激较对照组全视野刺激的潜伏期延长，振幅降低 (P<0.05)。
3、弱视眼鼻侧视网膜刺激M100的潜伏期较颞侧视网膜刺激潜伏期延长，振幅降低 (P<0.05)。
弱视眼全视野刺激时，鼻侧视网膜对应大脑半球M100的潜伏期比颞侧视网膜对应大脑半球M100的潜伏期延长，振幅降低 (P<0.05)。
4、源定位，弱视眼全视野刺激左右大脑半球M100的 磁场发生源在x坐标轴上的位置较对照组更接近原点(P<0.05)。
结论:
1、斜视性弱视枕叶视皮层的反应下降，与枕叶视皮层神经元突触后电位的减弱有关。
2、内斜视性弱视眼的鼻侧网膜存在一定程度和一定范围的抑制。这种抑制发生在中枢水平。
3、斜视性弱视的非弱视眼与并不完全等同于正常人。斜视性弱视存在双眼异常相互作用。
4、源定位，弱视眼存在眼优势柱的转移，优势柱偏向了非弱视眼。
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