在体电穿孔辅助基因转染视网膜色素上皮细胞层的实验研究
张萌 莫晓芬 董京艳 方媛
复旦大学附属眼耳鼻喉科医院 200031
目的：探讨在体电穿孔辅助基因转染视网膜色素上皮细胞层的可能性及最佳电刺激模式。
方法：将pcDNA3.1/NT-GFP-TOPO质粒(5ug)注射到SD大鼠（120g±10g）左眼视网膜下腔，按照电脉冲的不同场强（10、12、14、16、18、20V/cm）和脉冲持续时间（0.1或0.2s）进行分组（n=6）,刺激模式为：场强×脉冲持续时间，脉冲间期0.5s，5个脉冲为一组，共2组，组间间隔5min。将带负电荷的质粒在电场(角膜侧为负极，巩膜侧为正极)作用下，拟转染到视网膜色素上皮细胞层。转染后1周，取各组左视网膜，形态学观察绿色荧光蛋白表达强弱及范围，并观察眼球的组织损害情况。结果：以上各组电刺激模式均能辅助基因转染视网膜色素上皮细胞层，低场强的模式下基因表达相对较弱，随着场强的增大基因表达增强，但发生白内障、角膜损伤的可能性增加。适宜的场强在16～18V/cm之间，脉冲持续0.1s和0.2s的组间未见显著差异。结论：电穿孔方法可以有效辅助基因在体转染SD大鼠视网膜色素上皮细胞层，转染的适宜电穿孔模式为：16～18V/cm×0.1～0.2s×5次,二组刺激。本研究为非病毒性方法辅助基因在体转染治疗视网膜色素变性类疾病提供了一定的理论依据。 |
