| 目的： 通过观察在过氧化氢诱导晶体上皮细胞凋亡过程中线粒体形态、结构和功能的变化，探讨线粒体损伤在活性氧诱导晶体上皮细胞凋亡中的作用。
方法： 取培养的对数生长期的晶体上皮细胞，用浓度为10-2M、10-3M、10-4M、10-5M、10-6M、10-7M、10-8M的过氧化氢溶液进行处理，每6小时进行一次MTT测定过氧化氢对晶体上皮细胞的半数致死量（IC50）；用过氧化氢对晶体上皮细胞的IC50处理24小时, 处理结束后AO/EB双染色法进行细胞活性测定；用流式细胞术进行晶体上皮细胞DNA倍体分析；用免疫组化方法分析细胞色素C在活性氧诱导晶体上皮细胞凋亡过程中在晶体上皮细胞内的分布；用Western印迹方法分析晶体上皮细胞凋亡过程中caspase-3的活化；用电镜观察过氧化氢处理前后晶体上皮细胞线粒体的形态。
结果： 过氧化氢对晶体上皮细胞的半数致死量是32.24μM，过氧化氢诱导晶体上皮细胞凋亡的过程伴随细胞色素C的释放和caspase-3的激活。电镜下未经过氧化氢处理的晶体上皮细胞线粒体可见线粒体结构完整，线粒体的嵴清晰可见，而经过氧化氢处理后可见线粒体结构破坏，膜出现缺损，嵴不清晰。
结论 ：活性氧所致线粒体损伤导致细胞色素C释放活化caspase－3是活性氧诱导晶体上皮细胞凋亡的原因。 |
