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硫辛酸对暴露于紫外线的人晶体上皮细胞作用的实验研究         
硫辛酸对暴露于紫外线的人晶体上皮细胞作用的实验研究
作者:陶津华 阎… 文章来源:中国医科大学附属第一医院眼科 110001 点击数:1381 更新时间:2004/6/14
目的 现有的研究结果表明具有抗氧化作用的硫辛酸( lipoic acid,LA )存在于人体的多种组织中。本研究用紫外线照射人晶状体上皮细胞,并在紫外线照射前,照射时及照射后不同时段向介质中加入不同浓度硫辛酸,通过细胞生存率值的比较来探讨硫辛酸在人晶体上皮细胞中抗紫外线损伤的作用。 方法 于含有20%胎牛血清的DMEM,5% CO2, 37摄氏度的培养条件下,对植入96孔培养板的人晶体上皮细胞(SRA01/04)进行培养。当培养细胞达到80%以上融合状态时对HLEC进行不同强度的紫外线照射。紫外线光源参数为: 波长范围为270-410nm, 中心峰值为310nm,照射高度为37cm,照射强度为0.4mW/cm2 ,照射量为0,37,73,及110mJ/cm2。分别于照射前,照射后用不同浓度( 0mM, 0.5mM, 1.0mM )的硫辛酸对细胞进行2小时的孵育,照射前将培养液换为PBS,PBS中加入不同浓度( 0mM, 0.5mM, 1.0mM )的硫辛酸。照射后的细胞在孵育后与照射前相同条件下继续培养48小时,最后对所有细胞进行固定(2.5%戊二醛),染色(0.4%龙胆紫液),标本自然风干后进行吸光度值的测定,计算细胞生存率,最后进行统计分析。 结果 于照射前,照射后加入硫辛酸孵育的实验组其细胞生存率明显高于未加组,而在紫外线照射剂量为半数致死量时其增强细胞存活率的作用最强。在照射剂量为半数致死量的73 mW/cm2及1.5倍半数致死量的110 mW/cm2条件下其细胞生存率依次为:暴露后硫辛酸加入组>暴露前硫辛酸加入组>暴露中硫辛酸加入组≧对照组,且1 mM与0.5 mM硫辛酸加入组显示出同样的趋势,本次实验没有发现浓度依赖性正相关关系。 结论 1.照射前,照射中,照射后硫辛酸的添加都能够提高紫外线照射后晶体上皮细胞的生存率。 2.照射量73及110mJ/cm2组中,照射后LA添加组>照射前LA添加组>照射后LA添加组≧对照组,其中照射前及照射后添加组与对照组间的差异有统计学意义。 3.1.0 mM硫辛酸添加组 与0.5 mM硫辛酸添加组的结果呈相同趋势,本实验中未见明显的浓度依赖性。 硫辛酸可以提高紫外线照射后的人晶体上皮细胞的存活率。提示硫辛酸可以减轻紫外线对人晶状体上皮细胞的光损害。 关键词 抗氧化损伤 人晶状体上皮细胞 培养 紫外线 白内障 硫辛酸
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