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斜视性弱视大脑视皮层损害的脑磁图研究 |
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作者:管永清 孙… 文章来源:天津市眼科医院 300020 点击数:1265 更新时间:2006/6/27 0:10:35
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目的:应用脑磁图技术研究斜视性弱视患者大脑皮层的变化情况,探讨弱视的可能发病机制。
方法:
1、采用黑白棋盘格翻转不同视野刺激, 通过脑磁图仪记录4名健康受试者和4名内斜视的斜视性弱视患者的视觉诱发磁场。
2、分析不同视野刺激条件下,正常组与斜视性弱视组视觉诱发磁场M100的潜伏期、振幅及源定位的差异。
结果:
1、斜视性弱视组双眼全视野刺激M100的潜伏期较对照组延长,振幅降低,差别有统计学意义(P<0.05)。
2、弱视眼全视野刺激M100潜伏期较对照组的潜伏期延长,振幅降低 (P<0.05)。非弱视眼全视野刺激较对照组全视野刺激的潜伏期延长,振幅降低 (P<0.05)。
3、弱视眼鼻侧视网膜刺激M100的潜伏期较颞侧视网膜刺激潜伏期延长,振幅降低 (P<0.05)。
弱视眼全视野刺激时,鼻侧视网膜对应大脑半球M100的潜伏期比颞侧视网膜对应大脑半球M100的潜伏期延长,振幅降低 (P<0.05)。
4、源定位,弱视眼全视野刺激左右大脑半球M100的 磁场发生源在x坐标轴上的位置较对照组更接近原点(P<0.05)。
结论:
1、斜视性弱视枕叶视皮层的反应下降,与枕叶视皮层神经元突触后电位的减弱有关。
2、内斜视性弱视眼的鼻侧网膜存在一定程度和一定范围的抑制。这种抑制发生在中枢水平。
3、斜视性弱视的非弱视眼与并不完全等同于正常人。斜视性弱视存在双眼异常相互作用。
4、源定位,弱视眼存在眼优势柱的转移,优势柱偏向了非弱视眼。
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会议投稿录入:yanli2004_8 责任编辑:毛进 |
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